5企公開(kāi)最新Micro LED專利

　　近日，錼創(chuàng)顯示、芯映光電、高科華燁、高科視像、芯聚半導(dǎo)體公布Micro LED專利，涉及基板、顯示模組、 MIP封裝、巨量轉(zhuǎn)移等。

　　錼創(chuàng)顯示科技：微型發(fā)光二極管顯示面板專利

　　國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，錼創(chuàng)顯示科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“微型發(fā)光二極管顯示面板”的專利，公開(kāi)號(hào)CN118748234A，申請(qǐng)日期為2021年8月。

　　圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管顯示面板包括第一基板、第二基板、多個(gè)微型發(fā)光二極管、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層、遮光圖案層、濾光層以及空氣間隙。

　　這些微型發(fā)光二極管設(shè)置于第一基板上，且分別位于多個(gè)子像素區(qū)內(nèi)。這些微型發(fā)光二極管適于發(fā)出光束。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層重疊設(shè)置于這些微型發(fā)光二極管的至少一部分。光束用于激發(fā)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層以發(fā)出轉(zhuǎn)換光束。遮光圖案層設(shè)置于第二基板上。濾光層設(shè)置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層與第二基板之間，且重疊于這些微型發(fā)光二極管?？諝忾g隙設(shè)置在這些微型發(fā)光二極管的任一者、第二基板、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層與濾光層的任兩相鄰者之間。

　　芯映光電：一種LED基板及顯示模組

　　芯映光電 公布“一種LED基板及顯示模組 ”相關(guān)專利進(jìn)入授權(quán)階段，公開(kāi)號(hào)CN221766782U。

　　圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　該專利申請(qǐng)涉及一種LED基板及顯示模組，所述LED基板包括：玻璃載板，所述玻璃載板的第一板面設(shè)置有導(dǎo)電線路;HDI線路板，所述HDI線路板固設(shè)于所述玻璃載板的第二板面，且所述HDI線路板與所述玻璃載板上的導(dǎo)電線路電連接，所述第一板面與所述第二板面分別位于所述玻璃載板的相對(duì)兩側(cè)。

　　專利通過(guò)在HDI線路板上設(shè)置玻璃載板，并將導(dǎo)電線路設(shè)置在玻璃載板上，玻璃載板的表面精度和平整度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于HDI線路板的表面精度和平整度，有利于芯片的固定安放，能夠應(yīng)用于Micro LED顯示，解決了相關(guān)技術(shù)中HDI多層線路板制作的基板在Micro LED顯示方面難以應(yīng)用的技術(shù)問(wèn)題。

　　高科華燁：一種Micro MIP器件制成方法

　　山西高科華燁電子集團(tuán)有限公司 公布“一種Micro MIP器件制成方法” 相關(guān)專利進(jìn)入公布階段，公開(kāi)號(hào)CN118693191A。

　　圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　該專利公開(kāi)了一種Micro MIP器件制成方法，該方法包括以下步驟：S1.將含有LED芯片的COW與臨時(shí)載板鍵合并進(jìn)行激光剝離;S2.進(jìn)行三色芯片的巨量轉(zhuǎn)移，將三色芯片按照矩陣排列轉(zhuǎn)移到同一載板上;S3.準(zhǔn)備一塊鋼化玻璃，并在其單面進(jìn)行膠水涂布;S4.在鋼化玻璃表面按照矩陣排列進(jìn)行金屬走線和金屬焊盤的沉積;S5.通過(guò)巨量焊接技術(shù)將芯片載板與已制備線路的鋼化玻璃焊接;S6.通過(guò)激光剝離技術(shù)剝離芯片的載板;S7.對(duì)鋼化玻璃上的結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝;S8.通過(guò)隱切方式對(duì)Micro MIP器件進(jìn)行切割。

　　通過(guò)本發(fā)明的制成技術(shù)，可以制備出Micro LED顯示屏所需的Micro MIP器件，解決Micro MIP制成周期長(zhǎng)、難以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)全自動(dòng)的問(wèn)題。本發(fā)明的制成方法簡(jiǎn)單高效。

　　高科視像：一種新型Micro LED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法

　　山西高科視像科技有限公司 公布“一種新型Micro LED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法” 相關(guān)專利并進(jìn)入公布階段，公開(kāi)號(hào)CN118737911A。

　　圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　該專利發(fā)明提供了一種新型Micro LED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法，屬于Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域;解決了普通轉(zhuǎn)移方法轉(zhuǎn)移良率降低、檢測(cè)修復(fù)困難的問(wèn)題;包括集巨量轉(zhuǎn)移、巨量檢測(cè)和巨量修復(fù)于一體的巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng);巨量轉(zhuǎn)移是利用轉(zhuǎn)移頭通過(guò)真空將芯片吸起，巨量檢測(cè)是利用梯形保護(hù)罩兩側(cè)的光電檢測(cè)裝置測(cè)得Micro LED芯片的工作電壓、亮度和發(fā)光波長(zhǎng)等參數(shù)與預(yù)設(shè)值做比對(duì)，巨量修復(fù)是利用巨量轉(zhuǎn)移頭通過(guò)信息端反饋的數(shù)據(jù)，控制端控制吸嘴的開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)目標(biāo)基板上芯片空缺位置的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)補(bǔ)位。

　　本發(fā)明旨在優(yōu)化Micro LED集成封裝技術(shù)，并且通過(guò)新型的技術(shù)提升了巨量轉(zhuǎn)移良率，降低修復(fù)成本，提高顯示模組的色彩均勻度。

　　芯聚半導(dǎo)體：Micro LED芯片及其制備方法

　　芯聚半導(dǎo)體 公布“Micro-LED芯片及其制備方法” 相關(guān)專利進(jìn)入公布階段，公開(kāi)號(hào)CN118748233A。

　　該專利發(fā)明了一種Micro LED芯片及其制備方法，Micro LED芯片包括沿出光方向依次堆疊設(shè)置的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和基板、以及粘結(jié)各層的粘結(jié)層，粘結(jié)層包括多個(gè)透光孔，透光孔與發(fā)光層的發(fā)光單元芯片的出光方向?qū)R。

　　圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　該垂直堆疊式的Micro LED芯片通過(guò)透光孔的設(shè)計(jì)減少了光線穿過(guò)有機(jī)物的面積，避免了因有機(jī)物材料的不穩(wěn)定性造成的透光率不確定、以及有機(jī)物材料引發(fā)的光顏色變化的問(wèn)題，從而一方面顯著提高了光傳輸效率和LED芯片的發(fā)光效率，減少了光損耗，另一方面提高了混光效果，保持了整個(gè)面板顯示顏色的一致性。該Micro LED在尺寸更小的同時(shí)顯著提升了顯示效果，增強(qiáng)了顯示亮度和色彩純度。